2SD756ADTZ Hitachi

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NPN型バイポーラトランジスタ | 低周波用

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2SD756ADTZ の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SD756ADTZ
メーカーHITACHI
種別バイポーラトランジスタ
Collector Current-Max (IC) 0.05 A
Collector-emitter Voltage-Max 140 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 250
JESD-30 Code O-PBCY-T3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape ROUND
Package Style CYLINDRICAL Meter
Polarity/Channel Type NPN
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position BOTTOM
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 350 MHz
会社名称株式会社 日立製作所
設立1920年2月1日
資本金458,790百万円
所在地100-8280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号
URLhttp://www.hitachi.com/

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