2SD669 データシート Hitachi

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NPN型バイポーラトランジスタ | 低周波用

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2SD669 の詳細情報

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型番2SD669
メーカーHITACHI
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 1.5 A
Collector-base Capacitance-Max 14 pF
Collector-emitter Voltage-Max 120 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 30
JEDEC-95 Code TO-92
JESD-30 Code O-PBCY-T3
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 150 Cel
Operating Temperature-Min -55 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style CYLINDRICAL Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation Ambient-Max 0.001 W
Power Dissipation-Max (Abs) 0.001 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form FLAT
Terminal Position BOTTOM
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material GERMANIUM
Transition Frequency-Nom (fT) 140 MHz
VCEsat-Max 1 V
会社名称株式会社 日立製作所
設立1920年2月1日
資本金458,790百万円
所在地100-8280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号
URLhttp://www.hitachi.com/

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