2SD667D Hitachi

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NPN型バイポーラトランジスタ | 低周波用

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2SD667D の詳細情報

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型番2SD667D
メーカーHITACHI
種別バイポーラトランジスタ
Collector Current-Max (IC) 1 A
Collector-base Capacitance-Max 12 pF
Collector-emitter Voltage-Max 80 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 160
JEDEC-95 Code TO-92
JESD-30 Code O-PBCY-T3
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape ROUND
Package Style CYLINDRICAL Meter
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation Ambient-Max 0.9 W
Power Dissipation-Max (Abs) 0.9 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish TIN OVER COPPER
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position BOTTOM
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 140 MHz
VCEsat-Max 1 V
会社名称株式会社 日立製作所
設立1920年2月1日
資本金458,790百万円
所在地100-8280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号
URLhttp://www.hitachi.com/

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