2SD1978 Hitachi

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NPN型バイポーラトランジスタ | 低周波用

2SD1978 の詳細情報

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  • メーカー情報
型番2SD1978
メーカーHITACHI
種別バイポーラトランジスタ
Collector Current-Max (IC) 1.5 A
Collector-emitter Voltage-Max 120 V
Configuration DARLINGTON
DC Current Gain-Min (hFE) 2000
JEDEC-95 Code TO-92
JESD-30 Code O-PBCY-T3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape ROUND
Package Style CYLINDRICAL Meter
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation-Max (Abs) 0.9 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position BOTTOM
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社 日立製作所
設立1920年2月1日
資本金458,790百万円
所在地100-8280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号
URLhttp://www.hitachi.com/

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