2SC2618RCTR Hitachi

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NPN型バイポーラトランジスタ | 高周波用

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2SC2618RCTR の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SC2618RCTR
メーカーHITACHI
種別バイポーラトランジスタ
Collector Current-Max (IC) 0.5 A
Collector-emitter Voltage-Max 35 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 60
JESD-30 Code R-PDSO-G3
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type NPN
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN BISMUTH
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社 日立製作所
設立1920年2月1日
資本金458,790百万円
所在地100-8280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号
URLhttp://www.hitachi.com/

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