2SB649AB Hitachi

2SB649AB - HITACHI の商品詳細ページです。

1
No Image
  • 個
２営業日以内に回答いたします
この商品のお問い合わせ

PNP型バイポーラトランジスタ | 低周波用

2SB649AB の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SB649AB
メーカーHITACHI
種別バイポーラトランジスタ
Case Connection ISOLATED
Collector Current-Max (IC) 1.5 A
Collector-emitter Voltage-Max 160 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 60
JEDEC-95 Code TO-126
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation Ambient-Max 1 W
Power Dissipation-Max (Abs) 1 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 140 MHz
VCEsat-Max 1 V
会社名称株式会社 日立製作所
設立1920年2月1日
資本金458,790百万円
所在地100-8280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号
URLhttp://www.hitachi.com/

2SB649ABのレビュー

2SB649AB のご注文について