2SB648
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PNP型バイポーラトランジスタ | 低周波用
2SB648 の詳細情報
- 仕様・詳細
- メーカー情報
| 型番 | 2SB648 |
|---|---|
| メーカー | HITACHI |
| 種別 | バイポーラトランジスタ |
| Collector Current-Max (IC) | 0.05 A |
| Collector-emitter Voltage-Max | 120 V |
| Configuration | SINGLE |
| DC Current Gain-Min (hFE) | 60 |
| JESD-30 Code | R-PSIP-T3 |
| JESD-609 Code | e0 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 |
| Operating Temperature-Max | 150 Cel |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | IN-LINE Meter |
| Polarity/Channel Type | PNP |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 1 W |
| Qualification Status | Not Qualified |
| Sub Category | Other Transistors |
| Surface Mount | NO |
| Terminal Finish | TIN LEAD |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Position | SINGLE |
| Transistor Application | AMPLIFIER |
| Transistor Element Material | SILICON |
| Transition Frequency-Nom (fT) | 140 MHz |
| 会社名称 | 株式会社 日立製作所 |
|---|---|
| 設立 | 1920年2月1日 |
| 資本金 | 458,790百万円 |
| 所在地 | 100-8280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号 |
| URL | http://www.hitachi.com/ |
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