2SB1079　 Hitachi

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PNP型バイポーラトランジスタ | 低周波用

2SB1079　 の詳細情報

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  • メーカー情報
型番2SB1079　
メーカーHITACHI
種別バイポーラトランジスタ
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 20 A
Collector-emitter Voltage-Max 100 V
Configuration DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE) 1000
JESD-30 Code R-PSFM-T3
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation-Max (Abs) 100 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish TIN COPPER
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社 日立製作所
設立1920年2月1日
資本金458,790百万円
所在地100-8280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号
URLhttp://www.hitachi.com/

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