2SB1025DJTR Hitachi

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PNP型バイポーラトランジスタ | 低周波用

2SB1025DJTR の詳細情報

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  • メーカー情報
型番2SB1025DJTR
メーカーHITACHI
種別バイポーラトランジスタ
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 1 A
Collector-emitter Voltage-Max 80 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 100
JESD-30 Code R-PSSO-F3
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type PNP
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN BISMUTH
Terminal Form FLAT
Terminal Position SINGLE
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 140 MHz
会社名称株式会社 日立製作所
設立1920年2月1日
資本金458,790百万円
所在地100-8280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号
URLhttp://www.hitachi.com/

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