PNP型バイポーラトランジスタ | 高周波用
| 型番 | 2SA743A-B | 
|---|---|
| メーカー | HITACHI | 
| 種別 | バイポーラトランジスタ | 
| Case Connection | ISOLATED | 
| Collector Current-Max (IC) | 1 A | 
| Collector-emitter Voltage-Max | 80 V | 
| Configuration | SINGLE | 
| DC Current Gain-Min (hFE) | 60 | 
| JESD-30 Code | R-PSFM-T3 | 
| Number of Elements | 1 | 
| Number of Terminals | 3 | 
| Operating Temperature-Max | 150 Cel | 
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | 
| Package Shape | RECTANGULAR | 
| Package Style | FLANGE MOUNT Meter | 
| Polarity/Channel Type | PNP | 
| Power Dissipation-Max (Abs) | 8 W | 
| Qualification Status | Not Qualified | 
| Sub Category | Other Transistors | 
| Surface Mount | NO | 
| Terminal Form | THROUGH-HOLE | 
| Terminal Position | SINGLE | 
| Transistor Application | AMPLIFIER | 
| Transistor Element Material | SILICON | 
| Transition Frequency-Nom (fT) | 120 MHz | 
| 会社名称 | 株式会社 日立製作所 | 
|---|---|
| 設立 | 1920年2月1日 | 
| 資本金 | 458,790百万円 | 
| 所在地 | 100-8280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号 | 
| URL | http://www.hitachi.com/ | 
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