型番 | 1SS110 |
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メーカー | HITACHI |
データシート | ![]() |
Additional Feature | HIGH RELIABILITY |
Breakdown Voltage-Min | 35 V |
Case Connection | ISOLATED |
Configuration | SINGLE |
Diode Capacitance-Max | 1.2 pF |
Diode Element Material | SILICON |
Diode Type | MIXER DIODE |
Forward Voltage-Max (VF) | 1 V |
JEDEC-95 Code | DO-34 |
JESD-30 Code | O-LALF-W2 |
Number of Elements | 1 |
Number of Phases | 1 |
Number of Terminals | 2 |
Operating Temperature-Max | 60 Cel |
Operating Temperature-Min | -20 Cel |
Output Current-Max | 0.1 A |
Package Body Material | GLASS |
Package Shape | ROUND |
Package Style | LONG FORM Meter |
Power Dissipation-Max | 0.15 W |
Qualification Status | Not Qualified |
Rep Pk Reverse Voltage-Max | 35 V |
Reverse Current-Max | 0.1 uA |
Sub Category | Rectifier Diodes |
Surface Mount | NO |
Technology | PLANAR DOPED BARRIER |
Terminal Form | WIRE |
Terminal Position | AXIAL |
会社名称 | 株式会社 日立製作所 |
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設立 | 1920年2月1日 |
資本金 | 458,790百万円 |
所在地 | 100-8280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号 |
URL | http://www.hitachi.com/ |
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