RFD12N06RLE データシート Harris

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RFD12N06RLE の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番RFD12N06RLE
メーカーHARRIS
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature MEGAFET, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 12 A
Drain Current-Max (ID) 12 A
Drain-source On Resistance-Max 0.063 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-251AA
JESD-30 Code R-PSIP-T3
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style IN-LINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max 40 W
Power Dissipation-Max (Abs) 40 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 26 A
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount NO
Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Max (toff) 60 ns
Turn-on Time-Max (ton) 60 ns
会社名称Harris Corporation
資本金1890s
所在地1025 West NASA Boulevard Melbourne, Florida 32919-0001 USA
URLhttp://harris.com

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