3N191 - HARRIS の商品詳細ページです。

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3N191 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番3N191
メーカーHARRIS
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Case Connection SUBSTRATE
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS
DS Breakdown Voltage-Min 40 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.05 A
Drain Current-Max (ID) 0.05 A
Drain-source On Resistance-Max 300 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 1 pF
JEDEC-95 Code TO-78
JESD-30 Code O-MBCY-W7
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 7
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 135 Cel
Operating Temperature-Min -55 Cel
Package Body Material METAL
Package Shape RECTANGULAR
Package Style CYLINDRICAL Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.3 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Form UNSPECIFIED
Terminal Position BOTTOM
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
会社名称Harris Corporation
資本金1890s
所在地1025 West NASA Boulevard Melbourne, Florida 32919-0001 USA
URLhttp://harris.com

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