FHX35LG - FUJITSU の商品詳細ページです。

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FHX35LG の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番FHX35LG
メーカーFUJITSU
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Case Connection SOURCE
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 4 V
FET Technology HIGH ELECTRON MOBILITY
Highest Frequency Band KU BAND
JESD-30 Code O-CRDB-F4
Number of Elements 1
Number of Terminals 4
Operating Mode DEPLETION MODE
Operating Temperature-Max 175 Cel
Package Body Material CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape ROUND
Package Style DISK BUTTON Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max 0.29 W
Power Gain-Min (Gp) 8.5 dB
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET RF Small Signal
Surface Mount YES
Terminal Form FLAT
Terminal Position RADIAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material GALLIUM ARSENIDE
会社名称富士通株式会社
設立1935年6月20日
資本金3,246億円
所在地105-7123 東京都港区東新橋1-5-2 汐留シティセンター
URLhttp://www.fujitsu.com/

FHX35LGのレビュー

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