FMI05N50E Fujiele

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FMI05N50E の詳細情報

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型番FMI05N50E
メーカーFUJI ELE
Additional Feature LOW NOISE
Avalanche Energy Rating (Eas) 171 mJ
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 500 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 5 A
Drain Current-Max (ID) 5 A
Drain-source On Resistance-Max 1.5 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PSIP-T3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style IN-LINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 60 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 20 A
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称富士電機株式会社
設立1923年8月29日
資本金47,586,067,310円
所在地141-0032 東京都品川区大崎一丁目11番2号
URLhttp://www.fujielectric.com/

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