2SK3776-01 Fujiele

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Nチャネル電界効果型トランジスタ

2SK3776-01 の詳細情報

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  • メーカー情報
型番2SK3776-01
メーカーFUJI ELE
種別Nチャネル トランジスタ
Avalanche Energy Rating (Eas) 1013.9 mJ
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 300 V
Drain Current-Max (ID) 53 A
Drain-source On Resistance-Max 0.072 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-247
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 212 A
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称富士電機株式会社
設立1923年8月29日
資本金47,586,067,310円
所在地141-0032 東京都品川区大崎一丁目11番2号
URLhttp://www.fujielectric.com/

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