Nチャネル電界効果型トランジスタ
型番 | 2SK3674-01S |
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メーカー | FUJI ELE |
種別 | Nチャネル トランジスタ |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 269.5 mJ |
Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 900 V |
Drain Current-Max (ID) | 7 A |
Drain-source On Resistance-Max | 2 ohm |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 28 A |
Qualification Status | Not Qualified |
Surface Mount | YES |
Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | SINGLE |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
会社名称 | 富士電機株式会社 |
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設立 | 1923年8月29日 |
資本金 | 47,586,067,310円 |
所在地 | 141-0032 東京都品川区大崎一丁目11番2号 |
URL | http://www.fujielectric.com/ |
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