Nチャネル電界効果型トランジスタ
| 型番 | 2SK3674-01S |
|---|---|
| メーカー | FUJI ELE |
| 種別 | Nチャネル トランジスタ |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 269.5 mJ |
| Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 900 V |
| Drain Current-Max (ID) | 7 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 2 ohm |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 2 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 28 A |
| Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | SINGLE |
| Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
| 会社名称 | 富士電機株式会社 |
|---|---|
| 設立 | 1923年8月29日 |
| 資本金 | 47,586,067,310円 |
| 所在地 | 141-0032 東京都品川区大崎一丁目11番2号 |
| URL | http://www.fujielectric.com/ |
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