2SK3596-01S Fujiele

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Nチャネル電界効果型トランジスタ

2SK3596-01S の詳細情報

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  • メーカー情報
型番2SK3596-01S
メーカーFUJI ELE
種別Nチャネル トランジスタ
Avalanche Energy Rating (Eas) 387 mJ
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 200 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 30 A
Drain Current-Max (ID) 30 A
Drain-source On Resistance-Max 0.066 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 135 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 120 A
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称富士電機株式会社
設立1923年8月29日
資本金47,586,067,310円
所在地141-0032 東京都品川区大崎一丁目11番2号
URLhttp://www.fujielectric.com/

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