2SK201801S Fujiele

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Nチャネル電界効果型トランジスタ

2SK201801S の詳細情報

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型番2SK201801S
メーカーFUJI ELE
種別Nチャネル トランジスタ
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 10 A
Drain Current-Max (ID) 10 A
Drain-source On Resistance-Max 0.16 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max 20 W
Power Dissipation-Max (Abs) 20 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 40 A
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Max (toff) 225 ns
Turn-on Time-Max (ton) 45 ns
会社名称富士電機株式会社
設立1923年8月29日
資本金47,586,067,310円
所在地141-0032 東京都品川区大崎一丁目11番2号
URLhttp://www.fujielectric.com/

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