2SK1276A Fujiele

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Nチャネル電界効果型トランジスタ

2SK1276A の詳細情報

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型番2SK1276A
メーカーFUJI ELE
種別Nチャネル トランジスタ
Additional Feature AVALANCHE RATED
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 250 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 20 A
Drain Current-Max (ID) 20 A
Drain-source On Resistance-Max 0.25 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max 100 W
Power Dissipation-Max (Abs) 100 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 80 A
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount NO
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Max (toff) 450 ns
Turn-on Time-Max (ton) 125 ns
会社名称富士電機株式会社
設立1923年8月29日
資本金47,586,067,310円
所在地141-0032 東京都品川区大崎一丁目11番2号
URLhttp://www.fujielectric.com/

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