KSB811GBU データシート Fairchild

KSB811GBU - FAIRCHILD の商品詳細ページです。

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KSB811GBU の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番KSB811GBU
メーカーFAIRCHILD
データシートProduct_list_pdf
Collector Current-Max (IC) 1 A
Collector-emitter Voltage-Max 25 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 200
JESD-30 Code R-PSIP-T3
JESD-609 Code e3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style IN-LINE Meter
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation-Max (Abs) 0.35 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 110 MHz
会社名称Fairchild Semiconductor Corporation
設立1957
所在地3030 Orchard Parkway San Jose, CA 95134 United States
URLhttp://www.fairchildsemi.com/

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