FQB6N60CTM データシート Fairchild

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FQB6N60CTM の詳細情報

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型番FQB6N60CTM
メーカーFAIRCHILD
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE
Drain Current-Max (Abs) (ID) 5.5 A
Drain Current-Max (ID) 5.5 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 125 W
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
会社名称Fairchild Semiconductor Corporation
設立1957
所在地3030 Orchard Parkway San Jose, CA 95134 United States
URLhttp://www.fairchildsemi.com/

FQB6N60CTMのレビュー

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