FDS7066ASN3 データシート Fairchild

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FDS7066ASN3 の詳細情報

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型番FDS7066ASN3
メーカーFAIRCHILD
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (ID) 19 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0048 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-G8
JESD-609 Code e4
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 8
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 60 A
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES
Terminal Finish NICKEL PALLADIUM GOLD
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称Fairchild Semiconductor Corporation
設立1957
所在地3030 Orchard Parkway San Jose, CA 95134 United States
URLhttp://www.fairchildsemi.com/

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