FDFMA2P859T データシート Fairchild

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FDFMA2P859T の詳細情報

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型番FDFMA2P859T
メーカーFAIRCHILD
データシートProduct_list_pdf
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (ID) 3 A
Drain-source On Resistance-Max 0.12 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code S-PDSO-N6
JESD-609 Code e4
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 6
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape SQUARE
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 6 A
Surface Mount YES
Terminal Finish NICKEL PALLADIUM GOLD
Terminal Form NO LEAD
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称Fairchild Semiconductor Corporation
設立1957
所在地3030 Orchard Parkway San Jose, CA 95134 United States
URLhttp://www.fairchildsemi.com/

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