FCB36N60NTM データシート Fairchild

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FCB36N60NTM の詳細情報

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型番FCB36N60NTM
メーカーFAIRCHILD
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 600 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 36 A
Drain Current-Max (ID) 36 A
Drain-source On Resistance-Max 0.09 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Peak Reflow Temperature (Cel) 245
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 312 W
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Finish MATTE TIN
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
会社名称Fairchild Semiconductor Corporation
設立1957
所在地3030 Orchard Parkway San Jose, CA 95134 United States
URLhttp://www.fairchildsemi.com/

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