AP60N03GS Apec

AP60N03GS - APEC の商品詳細ページです。

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AP60N03GS の詳細情報

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型番AP60N03GS
メーカーAPEC
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (ID) 55 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0135 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-263AB
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 215 A
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称Advanced Power Electronics Corp.
設立1988
所在地12F-1 & 2, No.5, Taiyuan 1st ST., Zhubei City, Hsinchu County, 30265, Taiwan, R.O.C.
URLhttp://www.a-power.com.tw/index.aspx?lang=eng&fn=index

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